جستجوگر پیشرفته سایت



ترجمه مقاله Role of Doping in Carbon Nanotube Transistors With Source/Drain Underlaps

مبلغ قابل پرداخت : 30,000 تومان
 
تعداد بازديد : 38
مطالب مرتبط
ترجمه مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction
ترجمه مقاله Analytical and visual modeling of InGaN/GaN single quantum well laser based on rate equations
تکنولوژی SiGe - ترجمه فصل 5 کتاب VLSI Technology
ترجمه مقاله A novel efficient double junction InGaP/GaAs solar cell using a thin carbon nano tube layer
ترجمه مقاله Efficient InGaP/GaAs DJ solar cell with double back surface field layer
بخش نظرات

نام
ایمیل (منتشر نمی‌شود) (لازم)
وبسایت
:) :( ;) :D ;)) :X :? :P :* =(( :O @};- :B /:) :S
نظر خصوصی
مشخصات شما ذخیره شود ؟ [حذف مشخصات] [شکلک ها]
کد امنیتیرفرش کد امنیتی