HOME

تکنولوژی SiGe - ترجمه فصل 5 کتاب VLSI Technology

  • پنجشنبه 29 خرداد 1399
  • تکنولوژی SiGe - ترجمه فصل 5 کتاب VLSI Technology
    مفهوم مهندسی بندگپ در نیمه هادی های مرکب نظیر گالیم آرسناید (GaAs) و ایندیم فسفات (InP) بکار گرفته شده است، تا بتوان به دسته ای از افزاره های الکترونیکی نوین دست یافت. یک ترانزیستور مهندسی بندگپ شده از نظر ساختاری به گونه ای تغییر یافته تا بتوان استاندارد های بخصوصی از افزاره را بهبود داد (مانند سرعت). یک طراح ترانزیستور ممکن است که تصمیم به ساخت ترانزیستوری با بیس و کلکتوری از جنس GaAs ولی امیتری از جنس AlGaAs بگیرد. چنین افزاره ای دارای خصوصیات الکتریکی است که ذاتاً بسیار بهتر از آن چیزی است که می توان تنها با استفاده از یک نوع نیمه هادی دست یافت. همچنین برای ترکیب دو ماده متفاوت مهندسی بندگپ گاهاً شامل یک شیب ساختاری از ماده درون افزاره می شود. برای مثال: فردی ممکن است در نظر بگیرد که تابع مول  آلومینیوم موجود در یک ترانزیستور AlGaAs/GaAs را در طول امیتر از 0.4 تا 0.6 متغیر در نظر بگیرد. طراحان افزاره در این جست و جو بوده اند که تکنیک های مهندسی بندگپ مورد استفاده در تکنولوژی نیمه هادی هادی مرکب را با بلوغ ساخت، عملکرد بالا و هزینه پایین مربوط به سیلیکون معمول مورد استفاده در صنعت مدار مجتمع ترکیب کنند. آلیاژ سیلیکون – ژرمانیوم همبافته، پتانسیل قابل توجهی برای تحقق بخشیدن به ترانزیستور های مهندسی بندگپ شده در سیستم مواد سیلیکونی از خود نشان می دهد. اهمیت این موضوع از آن جهت است که می تواند این اجازه را به افزاره های سیلیکونی داد که عملکردی داشته باشند که زمانی تصور می شد غیر ممکن است. به این ترتیب تعداد مدارهای پربازده که از تکنولوژی سیلیکونی استفاده می کنند را نیز چند برابر کند. این فصل که به مرور پیشرفت های اخیر در تکنولوژی ترانزیستور های نا متجانس دو قطبی (HBT) یا اثر میدانی (HFet) از جنس SiGe می پردازد، بطور کامل در 16 صفحه به فارسی ترجمه شده است و در قالب ورد برای دانلود ارائه شده است. 

ترجمه مقاله Analytical and visual modeling of InGaN/GaN single quantum well laser based on rate equations

  • پنجشنبه 29 خرداد 1399
  • ترجمه مقاله Analytical and visual modeling of InGaN/GaN single quantum well laser based on rate equations
    An analytical, visual and open source model based on solving the rate equations for InGaN/GaN single quantum well (QW) lasers has been carried out. In the numerical computations, the fourth-order Runge–Kutta method has been used for solving the differential rate equations. The rate equations which have been considered in this simulation include the two level rate equations for the well and separate confinement heterostructure (SCH) layers. We present a new and inexpensive modeling method with analytical, visual and open source capabilities to investigate and comprehend the QW laser characteristics such as time behavior of carriers in SCHs and QW, photon density, output power and gain, and also the output power versus current which presents the threshold current of the laser. The characteristics of the QW lasers, which include laser time response (P–t), turn-on delay time of lasing and output power–current (P–I) characteristic and related features such as threshold current and slope efficiency have been investigated. Our model accurately computes the P–t and P–I characteristics such as turn-on delay time, threshold current and slope efficiency, and also illustrates the effects of parameters such as the injection current and geometry.

ترجمه مقاله A novel efficient double junction InGaP/GaAs solar cell using a thin carbon nano tube layer

  • یکشنبه 16 تیر 1398

  • Abstract - Using the two dimensional device simulator Silvaco Atlas, the photovoltaic characteristics of a double junction InGaP/GaAs solar cell [J.P. Dutta, et al., Optik. Int. J. Light Electron Opt. (2016)], were numerically simulated. In this work, the performance of double junction InGaP/GaAs solar cell is modified by adding a thin Carbon Nano tubes film. It was predicted that by adding a 110 nm thin carbon nano tubes film on the surface of the cell, the efficiency would be modified and would increase from 40.879% to 41.95%. Finally, the performances of the cell before and after the addition of the CNT thin film were compared.

    چکیده - با استفاده از شبیه ساز افزاره دو بعدی silvaco atlas، مشخصه های فتوولتاییک یک سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs شبیه سازی عددی شده است. در این کار، عملکرد سلول خورشیدی InGaP/GaAs دو پیوند با اضافه کردن یک لایه نانو لوله کربنی نازک اصلاح شده است. پیش بینی شده که با اضافه کردن یک لایه نانو لوله کربنی نازک 110 نانومتری روی سطح سلول، بازده تغییر خواهد کرد و از 40.879% به 41.95% افزایش خواهد یافت. در نهایت، عملکرد سلول قبل و بعد از اضافه کردن لایه نازک CNT  مقایسه شد. 

    تعداد صفحات: 10
    فرمت: docx و pdf

  • Efficiency - Solar cells - Double junction structure - Thin film - Carbon nanotube - نانو لوله کربنی - CNT - 

ترجمه مقاله A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance

  • سه شنبه 5 تیر 1397
  • ترجمه مقاله A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance

    A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance

    یک ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی (CNTFET) سورس و درین سبک آلاییده شده جدید با مقاومت دیفرانسیل منفی

    In this paper, we propose and evaluate a novel design of a lightly doped drain and source carbon nanotube field effect transistor (LDDS-CNTFET) with a negative differential resistance (NDR) characteristic, called negative differential resistance LDDS-CNTFET (NDR-LDDS-CNTFET). The device was simulated by using a non equilibrium Green’s function method. To achieve this phenomenon, we have created two quantum wells in the intrinsic channel by using two n-type regions. In the wells that are separated by a thin barrier, two resonance states are generated. On the other hand, the thickness of the barrier between the source and the well is variable depending on the energy level. Accordingly, with increasing gate-source voltage, the number of tunneling electrons and consequently drain-source current are varied. Furthermore, we have presented a structure with two n-type and three p-type regions in the channel that illustrates a larger NDR region. In this structure, the peak and valley of the drain-source current are shifted when compared with the previous structure. Finally, we investigated the effect of doping concentration on the NDR parameter.

    در این مقاله، طراحی جدیدی از درین و سورس به آرامی آلاییده شده ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی (LDDS-CNTFET) با مشخصه مقاومت دیفرانسیل منفی (NDR) را پیشنهاد و ارزیابی می کنیم که مقاومت دیفرانسیل منفی LDDS-CNTFET (NDR-LDDS-CNTFET) نامیده می شود. این افزاره با استفاده از متد تابع گرین غیر تعادلی شبیه سازی شده است. برای دستیابی به این پدیده، دو چاه کوانتومی را در کانال ذاتی با استفاده از دو ناحیه نوع n ایجاد نموده ایم. در چاه هایی که توسط یک سد نازک جدا شده اند، دو حالت رزونانس ایجاد می شود. از سوی دیگر، ضخامت سد بین سورس و چاه، بسته به سطح انرژی، متفاوت است. بر این اساس با افزایش ولتاژ گیت-سورس، تعداد الکترونهای تونل زنی و در نتیجه جریان درین – سورس، متغیر هستند. علاوه بر این، ساختاری با دو ناحیه نوع N و سه ناحیه نوع p را در کانال ایجاد نشان داده ایم که نشان دهنده ناحیه NDR بزرگتری است. در این ساختار، پیک (peak) و دره (valley) جریان درین-سورس، در مقایسه با ساختار قبلی، جابجا می شوند. در نهایت، اثر غلظت آلایش بر پارامتر NDR را مورد بررسی قرار داده ایم.

    تعداد صفحات: 12

PROJECTS

شبیه سازی با سیلواکو

  • چهارشنبه 26 مرداد 1396
  • silvaco simulation - شبیه سازی سیلواکو
  • اکثرا دانشجویان در انجام شبیه سازی پروژه سیلواکو با مشکل مواجه هستند و به دنبال یک مکان مطمئن جهت انجام این پروژه ها می باشند.
    مهندس 360 با داشتن برترین برنامه نویسان ایران آمادگی دارد انجام پروژه های شبیه سازی با نرم افزار سیلواکو Silvaco را با بهترین کیفیت انجام داده و در اختیار شما عزیزان قرار دهد.
  • نحوه سفارش پروژه: برای سفارش انجام پروژه های سیلواکو Silvaco می توانید از طریق شماره تماس 09377750859 اقدام نمایید. کارشناسان ما در کمترین زمان ممکن پروژه شما را بررسی کرده و خدمت شما اطلاع خواهند داد.
  • زمان انجام پروژه: زمان انجام پروژه های سیلواکو Silvaco با توجه به زمانی که مشتری تعیین میکند انجام میشود و سعی بر این بوده که در کوتاه ترین زمان ممکن پروژه خود را دریافت کنید

HELP

راهنمای دانلود از سایت

  • چهارشنبه 26 مرداد 1396
  • این صفحه در حال ساخت می باشد
  • این صفحه در حال ساخت می باشد.

CONTACT US

درباره ما

  • آمار مخاطبان صفحه رسمی سایت «مهندس 360» از مرز هفتصد هزار فراتر رفت. صفحه این سایت در اینستاگرام، فیسبوک، توییتر، گوگل پلاس و کلوب دات کام فعالیت خود را به طور رسمی آغاز نموده است.
  • در طول مدت راه اندازی سایت مهندس 360، مطالب آموزشی بسیار زیادی جهت استفاده شما دانشجویان و دانش آموزان گرامی به اشتراک گذاشته شده است. بخش هایی نظیر دانلود کتاب، جزوه، آموزش برنامه نویسی، آموزش نرم افزار و... تنها بخشی از مطالبی است که تاکنون با استقبال شما کاربران گرامی مواجه شده است.
  • صفحات رسمی ما در شبکه های اجتماعی مختلف جهت رفاه حال شما کاربران عزیز فعالیت دارند و انتشار مطالب سایت از این شبکه ها نیز انجام می شود. این اتفاق بدون همراهی شما ممکن نبود و با دلگرمی به این حضور، وظایفی که بر دوش این مجموعه است انجام خواهد شد.

تماس با ما

Contact Us extended form
تعویض عبارت تصویری
عبارت تصویر:
شبکه اجتماعی فارسی کلوب | Buy Mobile Traffic | سایت سوالات