HOME

شبیه سازی مقاله Improving the performance of a multi-junction solar cell by optimizing BSF, base and emitter layers در سیلواکو

  • سه شنبه 3 تیر 1399
  • double junction Solar Cell Simulation - Silvaco
    طی بررسی‌های انجام شده، تا سه دهه آینده به 10 تا 30 تراوات انرژی پاک در سال نیازمندیم. در حال حاضر، مصرف انرژی در جهان تقریباً 12 تا 13 ترا وات در سال است. انرژی خورشیدی که در مدت یک ساعت به سطح زمین می‌رسد می‌تواند تقاضای انرژی جهان را به مدت یک سال تأمین کند. با رشد جمعیت، تقاضای انرژی در حال افزایش است و منابع سوخت‌های فسیلی کاهش یافته‌اند که این انگیزه بسیار مناسبی برای تحقق و توسعه انرژی‌های تجدید پذیر خواهد بود. با وجودیکه سهم انرژیهای تجدید پذیر در برابر انرژی‌های فعلی بسیار ناچیز است اما پیش‌بینی می‌شود که این فناوری نوظهور بطور قابل توجهی انرژی آینده جهان را تولید کند. برای تولید بخش بزرگی از انرژی مورد نیاز جهان، سلول‌های خورشیدی نیاز به بهبود بیشتری دارند تا بتوانند جایگزین مناسبی برای انرژی‌های فسیلی و هسته‌ای شوند. 
    در این فایل، شبیه سازی یک مقاله بسیار معتبر با عنوان Improving the performance of a multi-junction solar cell by optimizing BSF, base and emitter layers ارائه شده است. یک فایل راهنمای جامع در قالب ورد و پی دی اف  نیز جهت آموزش کدها ارائه شده است. در کنار این فایل ها، دو فایل آموزشی ویدیویی با کیفیت بالا از نحوه اجرای کدها تهیه شده که به یادگیری نحوه اجرا و جواب گرفتن از نمودار های مختلف کمک می کند. 
    در این پژوهش، ساختار مطلوب سلول خورشیدی دو پیوندی با یک پیوند تونلی InGaP/InGaP، یک لایه بافر در سلول پایینی، دو لایه BSF در سلول بالایی و یک لایه امیتر جدید در ساختار ارائه شده است. سلول شبیه سازی شده با استفاده از Silvaco Atlas جهت بدست آوردن عملکرد بهتر، بهینه‌سازی شده و مقادیر ولتاژ مدار باز (VOC)، چگالی جریان اتصال کوتاه (JSC)، ضریب پری (FF) و بازده تبدیل (η) آن، محاسبه شده و نمودارهای نهایی نمایش داده شده اند. 

شبیه سازی مقاله Efficient InGaP/GaAs DJ solar cell with double back surface field layer در سیلواکو

  • جمعه 30 خرداد 1399
  • شبیه سازی مقاله Efficient InGaP/GaAs DJ solar cell with double back surface field layer در سیلواکو
    لایه BSF بهینه سازی شده و کارآمد مهمترین لایه سلول های خورشیدی تک پیوندی و دو پیوندی می باشد. در این پژوهش بکار بردن دو لایه BSF برای سلول بالایی با ضخامت های مختلف روی سلول خورشیدی دو پیوندی GaInP/GaAs با استفاده از محاسبات مدلسازی عددی در سیلواکو بررسی شده است. جزییات نرخ فتوجنریشن تعیین شده و مراحل اصلی مدلسازی شرح داده شده است و نتایج شبیه سازی با داده های تجربی منتشر شده به منظور توصیف دقت و صحت نتایج ما تولید شده اند. برای این ساختار سلول خورشیدی بهینه شده، ماکزیمم JSC=17.33 mA/cm2، VOC=2.66 V و FF=88.67% تحت روشنایی AM1.5G بدست آمده و حداکثر راندمان تبدیل 34.52% (1 sun) و 39.15% (1000 suns) بدست آمده است.

    آنچه خواندید بخشی از چکیده مقاله Efficient InGaP/GaAs DJ solar cell with double back surface field layer بود. مقادیر بدست آمده در شبیه سازی ها توسط سیلواکو بسیار نزدیک به مقادیر بدست آمده در مقاله هستند. همچنین تمامی نمودارها در اینجا قابل مشاهده هستند.

دانلود رایگان نرم افزار سیلواکو 2014 (silvaco 2014)

  • جمعه 30 خرداد 1399
  • دانلود نرم افزار سیلواکو 2014 (silvaco 2014)
    سیلواکو یک نرم افزار بسیار قدرتمند برای شبیه سازی ادوات نیمه هادی و نمایش انواع مشخصه های افزاره های مختلف می باشد. شرکت سیلواکو به‌صورت تخصصی روی نرم افزار شبیه‌سازی با هدف پوشش کامل تمام جنبه‌های مدرن طراحی الکترونیک، کار می‌کند. این شرکت در ابزار TCAD، امکان مدلسازی و شبیه سازی قابلیت‌های مدلسازی و شبیه‌سازی مدرن مدارات الکترونیک را با در نظر گرفتن جزئیات مربوط به ساخت VLSI فراهم می‌آورد. یک محیط کاربرپسند برای انجام طراحی و به‌کارگیری تعداد زیادی از گزینه‌های مختلف که برای ایجاد مدل‌های پیچیده و مشاهده سه بعدی ساختارها ارائه شده، با کمک ابزارهای ارائه شده در سیلواکو می‌توان پدیده‌های مختلفی از جمله هدایت الکتریکی، تحلیل حرارتی، تشعشعات و اثرات لیزر را مدل کرد. انواع زیادی از فرایندهای رشد لایه‌های نیمه‌هادی و خواص مواد (مانند قابلیت تحرک، پارامترهای بازترکیب، ضرایب یونیزاسیون و پارامترهای نوری) ارائه می‌شوند تا یک شبیه‌سازی دقیق انجام پذیرد. شبیه‌ساز ATLAS مجموعه‌ای کامل از ابزارهای پیشرفته جهت تحلیل دو بعدی و سه بعدی ادوات نیمه‌هادی است. علاوه بر این، با دارا بودن چکیده‌ای از تمام جزئیات ساخت موجب می‌شود تا طراح بتواند روی طرح واقعی نیز متمرکز شود.

شبیه سازی مقاله Design and evaluation of ARC less InGaP/AlGaInP DJ solar cell

  • جمعه 30 خرداد 1399
  • شبیه سازی مقاله Design and evaluation of ARC less InGaP/AlGaInP DJ solar cell
    در این فایل، شبیه سازی یک مقاله بسیار معتبر با عنوان Design and evaluation of ARC less InGaP/AlGaInP DJ solar cell ارائه شده است. یک فایل راهنمای جامع در قالب پی دی اف نیز جهت آموزش کدها ارائه شده است. در کنار این فایل ها، یک فایل آموزش ویدیویی با کیفیت بالا از نحوه اجرای کدها تهیه شده که به یادگیری نحوه اجرا و جواب گرفتن از نمودار های مختلف کمک می کند.

    در این پژوهش، ولتاژ مدار باز بسیار بالایی در ساختار سلول خورشیدی مبتنی بر GaInP/GaAs با استفاده از نیمه هادی AlGaInP به جای GaAs بدست آمده است. زیرا این ماده شکاف باند بزرگتری نسبت به GaAs دارد. ساختار بهینه شده دارای تراکم ناخالصی 2e19 و 2e17 برای نیمه هادی های نوع p و n بوده و ضخامت نواحی p و n آن به ترتیب 0.5 و 3.0 میکرومتر می باشد. در این مقاله، سلول شبیه سازی شده با استفاده از Silvaco Atlas جهت بدست آوردن عملکرد بهتر، بهینه‌سازی شده و مقادیر ولتاژ مدار باز (VOC)، چگالی جریان اتصال کوتاه (JSC)، ضریب پری (FF) و بازده تبدیل (η) آن، محاسبه شده و نمودارهای نهایی نمایش داده شده اند.

    در این مدل پارامترهای نرخ تولید نوری و میدان الکتریکی نیز مورد بررسی قرار گرفته اند. مقادیر FF، JSC ،VOC و EFF در مقاله برابر 3.347، 1.759، 90.09 و 53.51 و در فایل شبیه سازی شده برابر 3.39، 1.79، 91.03 و 53.06 بدست آمده اند که مقادیری بسیار مشابه مقادیر بدست آمده در مقاله می باشند. همچنین جهت مشاهده نمودارهای بدست آمده توسط این شبیه سازی می توانید از این لینک دیدن نمایید. 

شبیه سازی مقاله IMPACT OF TUNNEL HETEROJUNCTION (InGaP/GaAs) DOPING CONCENTRATION ON THE PERFORMANCE OF InGaP/GaAs TONDEM SOLAR CELL USING SILVACO-ATLAS SOFTWARE

  • سه شنبه 27 خرداد 1399
  • شبیه سازی مقاله IMPACT OF TUNNEL HETEROJUNCTION (InGaP/GaA) DOPING CONCENTRTION ON THE PERFORMANCE OF InGaP/GaAs TONDEM SOLAR CELL USING SILVACO-ATL
    در این پست، شبیه سازی یک مقاله بسیار معتبر با عنوان IMPACT OF TUNNEL HETEROJUNCTION (InGaP/GaA) DOPING CONCENTRTION ON THE PERFORMANCE OF InGaP/GaAs TONDEM SOLAR CELL USING SILVACO-ATLAS SOFTWARE که اخیراً در سال 2019 به چاپ رسیده ارائه شده است. 
    در این پژوهش تأثیر دوپینگ ناحیه تونلی ناهمگن در سلولهای خورشیدی تاندم بررسی شده است. پیوند تونلی (InGaP/GaAs) برای سلولهای خورشیدی چند پیوند (InGaP/GaAs) جهت تعیین عملکرد الکتریکی آنها به عنوان تابعی از غلظت دوپینگ تونل مورد مطالعه قرار گرفته است. در این مقاله، طراحی سلول خورشیدی InGaP/GaAs با استفاده از پیوند تونلی ناهمگونی با غلظت آلایش p--InGaP متفاوت گزارش شده و این میزان غلظت در محدوده e19-e20 می باشد. نتایج این تحقیق نشان داده که غلظت آلایش n-InGaP بر راندمان تبدیل، تراکم جریان اتصال کوتاه و ولتاژ مدار باز تأثیر دارد.
    پس از انجام شبیه سازی ها، مقادیر 
    Jsc=1.47026e-010 
    Voc=2.42184 
    FF=91.4446 
    Eff=23.8509 
    بدست آمده اند که نتایجی مشابه آنچه در مقاله درج شده است را نشان می دهند. 

شبیه سازی مقاله Design and optimization of ARC less InGaP-GaAs single--multi-junction solar cells with tunnel junction and back surface field layers

  • دوشنبه 26 خرداد 1399
  • شبیه سازی مقاله Design and optimization of ARC less InGaP/GaAs single-/multi-junction solar cells with tunnel junction and back surface field layers
    در عصر حاضر، استفاده از انرژی های نو علی الخصوص انرژی خورشیدی، به طور چشم گیری افزایش یافته است. از آنجا که انجام آزمایشات لازم در خصوص بهبود و بهینه سازی سلول های خورشیدی بسیار پر هزینه اند، قبل از انجام این آزمایشات از شبیه سازی های کامپیوتری جهت رسیدن به بازده بالاتر استفاده می شود. زیرا این روش بسیار کم هزینه تر بوده و در وقت و انرژی نیز صرفه جویی می شود. نرم افزار سیلواکو یکی از نرم افزارهای بسیار عالی برای شبیه سازی این نوع از ادوات می باشد. 
    شبیه سازی سلول خورشیدی در سیلواکو، نیازمند انجام تحلیل­ های الکتریکی و نوری مختلفی است و این نرم افزار به دلیل دارا بودن کتابخانه ای قدرتمند از مواد و مدلهای الکتریکی و نوری، به طور خاص برای انجام این کار استفاده می شود. 
    در صورتیکه یک نیمه هادی نوع  n در کنار نیمه هادی دیگری از نوع p قرار گیرد؛ یک پیوند p-n تشکیل می شود و الکترونهای سمت n  به سمت p رفته و حفره‌ها نیز در جهت عکس حرکت الکترون‌ها حرکت می کنند. در این میان، در ناحیه مرزی این دو نیمه هادی، ناحیه تخلیه به وجود می آید. این ناحیه خالی از هر نوع حاملی است. در این حالت در لبه مرز در سمت نیمه هادی نوع n، اتم‌ها الکترون‌های خود را از دست داده‌اند و یون‌های مثبت تشکیل شده است. در سمت p نیز با انتقال حفره‌ها، یون‌های منفی به جا مانده‌اند، بنابراین یک میدان الکتریکی بین یون‌های مثبت و منفی بوجود می‌آید. بزرگتر شدن این ناحیه در اثر عوامل مختلف، مانع از انتقال بیشتر حامل‌های جریان می‌شود. 
    در این پست شبیه سازی یک مقاله با عنوان Design and optimization of ARC less InGaP/GaAs single-/multi-junction solar cells with tunnel junction and back surface field layers که در سال 2018 در ژورنال Superlattices and Microstructures که یک ژورنال بسیار معتبر در زمینه ادوات نوری و الکتریکی می باشد ارائه شده است. نتایج شبیه سازی های انجام شده بسیار مشابه آنچه در مقاله ذکر شده اند می باشند و از دقت بسیار بالایی برخوردارند. نتایج بدست آمده به شرح زیر می باشند:
    InGaP SJSC
    ---------------------------
    JscmAcm2=20.1579 
    Voc=1.41568 
    FF=84.8897 
    Eff=17.7449 

    GaAs SJSC
    ---------------------------
    JscmAcm2=34.2686 
    Voc=1.02644 
    FF=88.2007 
    Eff=22.7253 

    InGaP/GaAs DJSC
    ---------------------------
    JscmAcm2=14.1974 
    Voc=2.42066 
    FF=91.5219 
    Eff=23.0396 

    TJ=InGaP
    ---------------------------
    JscmAcm2=15.8448 
    Voc=2.42361 
    FF=91.1076 
    Eff=25.6278 

    TJ=GaAs
    ---------------------------
    JscmAcm2=14.1974 
    Voc=2.42066 
    FF=91.5219 
    Eff=23.0396 

    TJ=AlGaAs
    ---------------------------
    JscmAcm2=15.4834 
    Voc=2.42305 
    FF=91.2129 
    Eff=25.0664 

    TJ=---
    ---------------------------
    JscmAcm2=19.2805 
    Voc=1.17547 
    FF=74.7739 
    Eff=12.4133 

    BSF=AlInGaP
    ---------------------------
    JscmAcm2=20.77 
    Voc=2.43073 
    FF=86.5752 
    Eff=32.0165 

شبیه سازی مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction در silvaco

  • دوشنبه 26 خرداد 1399
  • شبیه سازی مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction در silvaco
    در این پژوهش از یک دیود تونلی In0.49Ga0.51P–Al0.7Ga0.3 استفاده شده و با کمک یک رویکرد بهینه سازی لایه BSF، یک سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs توسعه یافته است. نتایج نشان می دهند که دیود تونلی In0.49Ga0.51P–Al0.7Ga0.3 انتقال الکترونها و حفره های بیشتری را نشان می دهد و منجر به بازترکیب کمتری بین سلول های بالا و پایین شده و راندمان سلول خورشیدی دو پیوند را افزایش می دهد. برای دستیابی به ولتاژ مدار باز (VOC) بالاتر، از نیمه هادی GaAs برای تطبیق با Al0.52In0.48P با شکاف باند 2.4eV استفاده شده است. این ماده در سلول پایینی به کار گرفته شده و عملکرد هتروجانکشن Al0.52In0.48P–GaAs منجر به افزایش نرخ تولید نوری افزاره در این ناحیه شده است. ساختار پیشنهادی تحت تابش AM1.5G در سیلواکو (Silvaco) شبیه سازی شده و نتایج بدست آمده به صورت زیر می باشند: 

    JscmAcm2=31.8491 
    Voc=2.52557 
    FF=86.291 
    Eff=66.3189 

    همچنین در این شبیه سازی نمودارهای شکاف باند، طیف AM1.5G، مش بندی، ساختار، نرخ تولید نوری و نمودارهای جریان - ولتاژ بدست آمده اند. 

شبیه سازی مقاله A thin layer of Carbon Nano Tube (CNT) as semi-transparent charge collector that improve the performance of the GaAs Solar Cell با سیلواکو

  • سه شنبه 20 خرداد 1399
  • شبیه سازی مقاله A thin layer of Carbon Nano Tube (CNT) as semi-transparent charge collector that improve the performance of the GaAs Solar Cell با سیلواکو
    استفاده از نانو لوله های کربنی (CNT) در سلول های خورشیدی به عنوان یکی از امیدوارکننده ترین زمینه های تحقیق برای بهبود کارایی آن به شمار می رود. اخیراً نشان داده شده که شبکه های ناهمگن CNT ها می توانند به عنوان یک رسانای نیمه شفاف عمل کنند. این خاصیت منحصر به فرد برای استفاده در سلول های خورشیدی منجر به بهبود بازدهی سلول می شود. استفاده از CNT در لایه بالا می تواند به طور فابل توجهی ناحیه تماس فلز کانتکت ها را به سطح سلول کاهش دهد و همچنین این مواد دارای هدایت بیشتری نسبت به سایر مواد نیمه هادی هستند. CNT ها دارای خواص ساختاری و الکتریکی فابل توجهی هستند که می توانند در بسیاری از برنامه ها مورد استفاده قرار گیرند. 
    نتایج بدست آمده در شبیه سازی ها:

    with CNT:
    ------------------
    JscmAcm2=31.4136 
    Voc=1.03865 
    FF=87.7959 
    Eff=28.6352 

    without CNT:
    ------------------
    JscmAcm2=30.2208 
    Voc=1.03319 
    FF=87.7061 
    Eff=27.3751 

  • Silvaco - silvaco simulation - شبیه سازی با سیلواکو - شبیه سازی با Silvaco - شبیه سازی سلول خورشیدی - نانو لوله کربنی - CNT - 

معرفی کتاب فارسی آموزش سیلواکو (Silvaco)

  • یکشنبه 16 تیر 1398

  • در این پست به معرفی کتاب آموزش نرم افزار سیلواکو که به صورت الکترونیکی و به زبان فارسی ارائه شده می پردازیم. این کتاب در 332 صفحه نگارش شده و شامل فصل های زیر می باشد:

    فصل اول - آموزش نصب نرم افزار Silvaco
    1-1- مقدمه
    2-1- طریقه نصب سیلواکو

    فصل دوم - معرفی نرم افزار سیلواکو
    1-2- مقدمه
    2-2- معرفی ابزار شبیه سازی ATLAS
    3-2- مدلهای فیزیکی
    4-2- مراجع

    فصل سوم - شروع کار با Silvaco Atlas
    1-3- بررسی اجمالی Deckbuild
    2-3- فراخوانی Atlas
    3-3- ورودیها و خروجیهای ATLAS
    4-3- ساختار فایلهای ورودی در ATLAS
    1-4-3- پارامترهای منطقی (Logical)
    2-4-3- پارمترهای حقیقی (Real) و صحیح (Integer)
    3-4-3- پارامترهای رشته‌ای (Character)
    5-3- تعریف مشخصات ساختاری قطعه
    6-3- توضیحات (Comments)
    7-3- مش بندی
    8-3- ناحیه ها (مناطق)
    9-3- اتصالات الکتریکی (الکترودها)
    10-3- آلایش
    11-3- تعیین مشخصات و خواص مواد
    12-3- تعریف ماده
    13-3- کتابخانه سیلواکو
    14-3- تعیین مدل ها
    15-3- اتصالات الکتریکی
    16-3- انتخاب روش حل عددی
    17-3- مشخصه های تحلیل
    1-17-3- دستور log
    2-17-3- دستور Solve
    1-2-17-3- حل DC
    2-2-17-3- حل AC
    3-17-3- استخراج داده ها و رسم نمودارها
    4-17-3- تبادل داده ها با MATLAB
    5-17-3- ذخیره تصاویر Tonyplot
    18-3- مراجع

    فصل چهارم - شبیه سازی دیود p-n
    1-4- مقدمه
    2-4- نیمه‌هادی‌های نوع n و p
    3-4- تئوری باند انرژی
    4-4- پیوند p-n
    5-4- شبیه سازی
    1-5-4- مش بندی ساختار
    2-5-4- تعریف مناطق
    3-5-4-تعریف الکترودها
    4-5-4- تعیین ناخالصی
    5-5-4- تعریف اتصالات اهمی و شاتکی
    6-5-4- تعریف مدلها
    7-5-4- انتخاب روش حل عددی
    8-5-4- بایاس افزاره
    9-5-4- نمایش نمودار جریان-ولتاژ دیود p-n
    10-5-4- نمایش ساختار
    1-10-5-4- نمایش پروفایل آلایش
    11-5-4- نمایش ترازهای انرژی
    6-4- مراجع

    فصل پنجم - شبیه سازی ترانزیستور ماسفت
    1-5- مقدمه
    2-5- ساختار ترانزیستورهای ماسفت
    3-5- عملکرد ماسفت بدون اعمال ولتاژ به گیت
    4-5- ایجاد کانال برای عبور جریان
    5-5- اعمال VDS کوچک
    6-5- عملکرد به ازای VDS بزرگ
    7-5- مشخصه ولتاژ – جریان ماسفت افزایشی
    8-5- ساختار باند در ترکیبات نیمه هادی
    9-5- شبیه سازی یک ترانزیستور NMOS (مثال اول ماسفت)
    1-9-5- کد نویسی در ATLAS
    1-1-9-5- فراخوانی ATLAS
    2-1-9-5- تعریف مشبندی
    3-1-9-5- تعریف مناطق
    4-1-9-5- تعریف الکترودها
    5-1-9-5- تعریف میزان و نوع آلایش
    6-1-9-5- تعریف اتصالات
    7-1-9-5- تعریف مدلها
    8-1-9-5- انتخاب روش حل
    9-1-9-5- بدست آوردن حل اولیه
    10-1-9-5- اجرای شبیه سازی برای بدست آوردن یک حل با شرایط بایاس متفاوت
    11-1-9-5- نمایش نتایج و ساختار افزاره
    10-5- شبیه سازی یک ترانزیستور NMOS (مثال دوم ماسفت)
    1-10-5- کدنویسی
    11-5- مراجع

    فصل ششم - شبیه سازی ترانزیستورIGBT
    1-6- مقدمه
    2-6- مزایا و معایب IGBT
    3-6- ساختار افزاره
    4-6- مدل مداری
    5-6- مدهای عملکردی افزاره
    1-5-6- حالت سد معکوس
    2-5-6- حالت هدایت و سد مستقیم
    6-6- مشخصه خروجی
    7-6- مشخصه انتقالی
    8-6- نوع PT و NPT
    9-6- شبیه سازی
    10-6- مراجع

    فصل هفتم - شبیه سازی ترانزیستور بدون پیوند و بدون آلایش اثر میدانی
    1-7- مقدمه
    2-7- ترانزیستورهای بدون پیوند
    1-2-7- عملکرد ترانزیستور بدون پیوند
    1-1-2-7- فیزیک ترانزیستور
    2-1-2-7- مکانیزم جریان ترانزیستور
    3-7- ترانزیستور بدون آلایش
    1-3-7- اثر پلاسمای بار
    2-3-7- ساختار ترانزیستور بدون پیوند و بدون آلایش
    3-3-7- دیاگرام باند انرژی و عملکرد افزاره
    4-7- شبیه سازی
    1-4-7- مش بندی
    2-4-7- نواحی و الکترودها
    3-4-7- آلایش و کانتکتها
    4-4-7- مدلهای مورد استفاده در شبیه سازی
    5-4-7- نتایج شبیه سازی
    5-7- منابع

    فصل هشتم - شبیه سازی ترانزیستورهای تونلی
    1-8- عملکرد و شبیه سازی ترانزیستورهای تونلی
    2-8- معایب ترانزیستورهای اثر میدانی فلز اکسید نیمه هادی
    1-2-8- توان مصرفی بالا
    2-2-8 شیب زیر آستانه بالا
    3-8 عملکرد ترانزیستورهای تونلی
    4-8- شبیه سازی ترانزیستور تونلی
    1-4-8 نتایج شبیه سازی (دیاگرام باند انرژی، جریان و هدایت انتقالی)
    2-4-8- تغییر اندازه پهنای ناحیه تونل زنی
    3-4-8- بدست آوردن ولتاژ آستانه
    4-4-8- بدست آوردن شیب زیر آستانه نقطه‌ای و متوسط
    5-4-8- بدست آوردن فرکانس قطع
    5-8- مراجع

    فصل نهم - شبیه سازی سلولهای خورشیدی چند پیوندی
    1-9- مقدمه
    2-9- ویژگی های پایه مواد نیمه هادی
    1-2-9- اثر فتوولتاییک
    2-2-9- تئوری باند انرژی
    3-2-9- فرایند جذب و بازترکیب در نیمه‌هادی
    4-2-9- دیود تونلی
    3-9- اصول اساسی سلول‌های خورشیدی
    1-3-9- ولتاژ مدار باز و جریان اتصال کوتاه
    2-3-9- ضریب پر شدگی (FF)
    3-3-9- بازده تبدیل توان
    4-9- چالش‌های سلولهای خورشیدی ناهمگون
    5-9- لایه‌های اصلی سلول‌های خورشیدی
    1-5-9- سلول بالایی و پایینی
    2-5-9- لایه Window
    3-5-9- لایه Emitter و Base
    4-5-9- لایه BSF
    5-5-9- ناحیه تونلی
    6-9- طراحی سلول‌های چند‌پیوند
    1-6-9- شکاف باند
    2-6-9- تطبیق شبکه
    3-6-9- تطبیق جریان
    7-9- ساختار کلی سلول خورشیدی چند پیوند گروه III-V
    8-9- انتخاب مواد و ویژگیهای لایه های مختلف
    9-9- شبیه سازی در سیلواکو
    1-9-9- ساختار افزاره
    2-9-9- نور دهی با AM1.5G
    3-9-9- رفتار تونل‌زنی
    4-9-9- مشخصه V-I
    5-9-9- نرخ تولید فوتون
    10-9- کدنویسی در Deckbuild
    11-9- نمایش سایر نمودارهای سلول خورشیدی روی ساختار
    12-9- نمایش نمودارهای خطی با کمک ساختار
    13-9- مراجع

    پیوست 1- آشنایی با مدلهای توزیع آماری Silvaco Atlas
    پ-1-  توزیع آماری حامل‌ها
    پ-1-1- فرمی دیراک و روش بولتزمن
    پ-1-2- تراکم حامل ذاتی
    پ-1-3- باریک شدگی گاف انرژی

    پیوست 2- آشنایی با مدلهای تولید و بازترکیب Silvaco Atlas
    پ-2- مدل‌های تولید و بازترکیب حامل
    پ-2-1- مدل شاکلی رید هال
    پ-2-2- مدل شاکلی رید هال وابسته به تراکم ناخالصی
    پ-2-3- تونل زنی به کمک مشکلات شبکه
    پ-2-4- مدل اوژه

    پیوست 3- آشنایی با مدلهای موبیلیتی Silvaco Atlas
    پ-3-1- مدل‌های موبیلیتی
    پ-3-1-1- مدل‌های میدان ضعیف
    پ-3-1-2- مدل‌های لایه وارونگی
    پ-3-1-3- مدل‌های وابسته به میدان عمودی
    پ-3-1-4- مدل‌ وابسته به میدان افقی
    پ-3-1-5- همخوانی یا عدم همخوانی مدل‌های موبیلیتی
    پ-3-1-6- خلاصه مدل‌های موبیلیتی

    پیوست 4- آشنایی با مدلهای تونل زنی باند به باند Silvaco Atlas
    پ-4-تونل زنی باند به باند
    پ-4-1- دیود تونلی
    پ-4-2- انواع تونل زنی باند به باند
    پ-4-2-1- تونل زنی باند به باند مستقیم
    پ-4-2-2- تونل زنی باند به باند غیر مستقیم (تونل زنی به کمک تله)
    پ-4-3- مدل‌های تونل زنی باند به باند
    پ-4-3-1- مدل استاندارد محلی (BBT.STD)
    پ-4-3-2- مدل تونل زنی شِنْک
    پ-4-3-3- مدل تونل زنی محلی کِین
    پ-4-3-4- مدل تونل زنی باند به باند غیر محلی
    پ-4-3-4-1- تقریب WKB و احتمال تونل زنی الکترون
    پ-4-3-4-2- محاسبه جریان
    پ-4-3-4-3- روش استفاده از مدل غیر محلی در نرم افزار سیلواکو
    پ-4-3-4-4- ملاحظات تکمیلی برای مدل غیر محلی
    پ-4-3-4-5- خلاصه پارامترهای مربوط به مدل غیر محلی

    پیوست 5- آشنایی با مدلهای تحدید کوانتومی Silvaco Atlas
    پ-5-1- تحدید کوانتومی در ابعاد نانو
    پ-5-2- Bohm Quantum Potential (BQP)
    پ-5-2- HANSCHQM

  • سیلواکو - شبیه سازی - silvaco - simulation - atlas - x.mesh - tonyplot - 

ترجمه مقاله A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance

  • سه شنبه 5 تیر 1397
  • ترجمه مقاله A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance

    A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance

    یک ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی (CNTFET) سورس و درین سبک آلاییده شده جدید با مقاومت دیفرانسیل منفی

    In this paper, we propose and evaluate a novel design of a lightly doped drain and source carbon nanotube field effect transistor (LDDS-CNTFET) with a negative differential resistance (NDR) characteristic, called negative differential resistance LDDS-CNTFET (NDR-LDDS-CNTFET). The device was simulated by using a non equilibrium Green’s function method. To achieve this phenomenon, we have created two quantum wells in the intrinsic channel by using two n-type regions. In the wells that are separated by a thin barrier, two resonance states are generated. On the other hand, the thickness of the barrier between the source and the well is variable depending on the energy level. Accordingly, with increasing gate-source voltage, the number of tunneling electrons and consequently drain-source current are varied. Furthermore, we have presented a structure with two n-type and three p-type regions in the channel that illustrates a larger NDR region. In this structure, the peak and valley of the drain-source current are shifted when compared with the previous structure. Finally, we investigated the effect of doping concentration on the NDR parameter.

    در این مقاله، طراحی جدیدی از درین و سورس به آرامی آلاییده شده ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی (LDDS-CNTFET) با مشخصه مقاومت دیفرانسیل منفی (NDR) را پیشنهاد و ارزیابی می کنیم که مقاومت دیفرانسیل منفی LDDS-CNTFET (NDR-LDDS-CNTFET) نامیده می شود. این افزاره با استفاده از متد تابع گرین غیر تعادلی شبیه سازی شده است. برای دستیابی به این پدیده، دو چاه کوانتومی را در کانال ذاتی با استفاده از دو ناحیه نوع n ایجاد نموده ایم. در چاه هایی که توسط یک سد نازک جدا شده اند، دو حالت رزونانس ایجاد می شود. از سوی دیگر، ضخامت سد بین سورس و چاه، بسته به سطح انرژی، متفاوت است. بر این اساس با افزایش ولتاژ گیت-سورس، تعداد الکترونهای تونل زنی و در نتیجه جریان درین – سورس، متغیر هستند. علاوه بر این، ساختاری با دو ناحیه نوع N و سه ناحیه نوع p را در کانال ایجاد نشان داده ایم که نشان دهنده ناحیه NDR بزرگتری است. در این ساختار، پیک (peak) و دره (valley) جریان درین-سورس، در مقایسه با ساختار قبلی، جابجا می شوند. در نهایت، اثر غلظت آلایش بر پارامتر NDR را مورد بررسی قرار داده ایم.

    تعداد صفحات: 12

PROJECTS

شبیه سازی با سیلواکو

  • چهارشنبه 26 مرداد 1396
  • silvaco simulation - شبیه سازی سیلواکو
  • اکثرا دانشجویان در انجام شبیه سازی پروژه سیلواکو با مشکل مواجه هستند و به دنبال یک مکان مطمئن جهت انجام این پروژه ها می باشند.
    مهندس 360 با داشتن برترین برنامه نویسان ایران آمادگی دارد انجام پروژه های شبیه سازی با نرم افزار سیلواکو Silvaco را با بهترین کیفیت انجام داده و در اختیار شما عزیزان قرار دهد.
  • نحوه سفارش پروژه: برای سفارش انجام پروژه های سیلواکو Silvaco می توانید از طریق شماره تماس 09377750859 اقدام نمایید. کارشناسان ما در کمترین زمان ممکن پروژه شما را بررسی کرده و خدمت شما اطلاع خواهند داد.
  • زمان انجام پروژه: زمان انجام پروژه های سیلواکو Silvaco با توجه به زمانی که مشتری تعیین میکند انجام میشود و سعی بر این بوده که در کوتاه ترین زمان ممکن پروژه خود را دریافت کنید

HELP

راهنمای دانلود از سایت

  • چهارشنبه 26 مرداد 1396
  • این صفحه در حال ساخت می باشد
  • این صفحه در حال ساخت می باشد.

CONTACT US

درباره ما

  • آمار مخاطبان صفحه رسمی سایت «مهندس 360» از مرز هفتصد هزار فراتر رفت. صفحه این سایت در اینستاگرام، فیسبوک، توییتر، گوگل پلاس و کلوب دات کام فعالیت خود را به طور رسمی آغاز نموده است.
  • در طول مدت راه اندازی سایت مهندس 360، مطالب آموزشی بسیار زیادی جهت استفاده شما دانشجویان و دانش آموزان گرامی به اشتراک گذاشته شده است. بخش هایی نظیر دانلود کتاب، جزوه، آموزش برنامه نویسی، آموزش نرم افزار و... تنها بخشی از مطالبی است که تاکنون با استقبال شما کاربران گرامی مواجه شده است.
  • صفحات رسمی ما در شبکه های اجتماعی مختلف جهت رفاه حال شما کاربران عزیز فعالیت دارند و انتشار مطالب سایت از این شبکه ها نیز انجام می شود. این اتفاق بدون همراهی شما ممکن نبود و با دلگرمی به این حضور، وظایفی که بر دوش این مجموعه است انجام خواهد شد.

تماس با ما

Contact Us extended form
تعویض عبارت تصویری
عبارت تصویر:
شبکه اجتماعی فارسی کلوب | Buy Mobile Traffic | سایت سوالات